金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器”的专利，公开号CN119698230A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及SOT‑MRAM存储器。包括：从下至上依次堆叠的基底、增强层、SOT效应层和磁性隧道结，SOT效应层具有强自旋轨道耦合效应，通入电流后形成垂直于界面方向的自旋流；增强层用于辅助SOT效应层翻转磁性隧道结的自由层磁化方向，增强层为复合层结构，包括：导电层；位于导电层下方的绝缘体层，和/或，位于导电层上方的隧穿隔离层，绝缘体层用于和相邻的基底和导电层形成界面内建电场，改变向下迁移的电子的自旋极化方向，隧穿隔离层用于分隔开自旋极化方向相反的电子。本发明能够提高自由层磁化翻转效率。

天眼查资料显示，中电海康集团有限公司，成立于2002年，位于杭州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本84500万人民币，实缴资本66000万人民币。通过天眼查大数据分析，中电海康集团有限公司共对外投资了39家企业，参与招投标项目409次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息499条，此外企业还拥有行政许可14个。

本文源自：金融界